Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann. Die auf diesem Substratmaterial aufbauenden Verbindungen und Epitaxie-Schichten werden zur Herstellung elektronischer Bauelemente benötigt, die bei Hochfrequenzanwendungen und für die Umwandlung elektrischer in optische Signale eingesetzt werden. Wikipedia
TOXNET (HSDB): UN/NA/DOT/IMO-number, flash point, boiling point
Segregation Chart
In this table the storage class 6.1D is highlighted. The table constists a statement is definied for each storage class whether the storage with other hazard classes is allowed, is not permitted or is restricted. The table is based on TRGS 510: 7.2.